PSA für Anwendungen in der Halbleiterindustrie
Ein neu entwickelter PSA- Klebefilm behält seine Haftung nach einer thermischen Behandlung bei, verringert jedoch die Haftung nach einer Fotobehandlung, was ein einfaches Ablösen von Siliziumwafern ermöglicht.

Druckempfindliche Klebstoffe („pressure-sensitive adhesives“, PSA) auf Acrylatbasis weisen oft eine schlechte Hitzebeständigkeit auf. Dies stellt bei Hochtemperaturanwendungen in der Halbleiterverarbeitung eine Herausforderung dar. Die Verbesserung der Hitzebeständigkeit von PSAs wurde durch chemische Vernetzung erreicht. Nun wurden PSAs entwickelt, die ihre Haftung während einer Wärmebehandlung beibehalten und nach einer Fotobehandlung verringern, so dass sie sich leicht von Siliziumwafern ablösen lassen.
Wertvolle Erkenntnisse
Das PSA wurde durch Copolymerisation von 2-Ethylhexylacrylat (2-EHA), Acrylnitril (AN) und 4-Hydroxybutylacrylat (4-HBA) mit endgültigen Zusammensetzungsverhältnissen von 72,6, 12,3 bzw. 15,1 Mol% synthetisiert. Hexamethylendiisocyanat (HDI) und 2-Isocyanatoethylmethacrylat (MOI) wurden an die Hydroxylgruppe von 4-HBA gebunden, um den Vernetzungsgrad zu steuern. Die Schälfestigkeit der PSAs sank nach der thermischen Behandlung von 9,64 N/in. auf 6,75 N/in. Dieser Rückgang ist auf eine erhöhte Vernetzungsdichte durch AN-Zyklisierung während der thermischen Behandlung zurückzuführen, im Gegensatz zu konventionellem PSA, das nach der thermischen Behandlung untrennbar ist. Nach der Fotobehandlung sank die Schälfestigkeit von 6,75 N/in. auf 3,62 N/in., was auf eine zusätzliche Vernetzung durch intermolekulare Reaktionen der Methacrylatgruppen in MOI hinweist.
Wie die Forschenden betonen, liefern ihre Ergebnisse wertvolle Erkenntnisse für die Entwicklung von PSAs mit kontrollierten Haftungseigenschaften und ermöglichen so die Entwicklung fortschrittlicher PSAs, die für Anwendungen in der Halbleiterindustrie geeignet sind.
Die Studie wurde in Progress in Organic Coatings, Volume 199, February 2025, 08950 veröffentlicht.